晶圆薄膜静态生长立式CVD

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产品详情

主要特点:

  • 石墨烯薄膜晶圆生长产业化设备

  • APC系统;真空蝶阀自动控制

  • 碳源等工艺气体MFC控制

  • 快速冷却功能

  • 薄膜制备过程全自动控制

  • 片舟方式

主要参数(可按需求定制):

  • 腔室直径:250mm

  • 恒温区:400mm

  • 工艺管材质:Sic/石英

  • 极限真空:小于3Pa

  • 装取料方式:升降机构(速度可调)

  • 工艺温度:1020-1050℃

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